H11D1SR2M
説明
技術的なパラメーター
関連製品:
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製造元部品 |
H11D1SM |
H11D1SR2M |
H11D1SR2VM |
H11D1SVM |
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説明 |
フォトカプラ、フォトトランジスタ出力 |
フォトカプラ、フォトトランジスタ出力 |
フォトカプラ、フォトトランジスタ出力 |
フォトカプラ、フォトトランジスタ出力 |
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ストック |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
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製品の状態 |
アクティブ |
アクティブ |
アクティブ |
アクティブ |
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電圧 - 絶縁 |
5000Vrmsの |
5000Vrms |
5000Vrms |
5000Vrmsの |
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電流伝達率 (最小) |
20% @ 10mA |
20% @ 10mA |
20% @ 10mA |
20% @ 10mA |
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電流伝達率 (最大) |
600% @ 10mA |
600% @ 10mA |
600% @ 10mA |
600% @ 10mA |
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ターンオン/ターンオフ時間 (標準値) |
5µs,5µs |
5µs,5µs |
5µs,5µs |
5µs,5µs |
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入力タイプ |
直流 |
直流 |
直流 |
直流 |
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出力タイプ |
トランジスタHV |
トランジスタHV |
トランジスタHV |
トランジスタHV |
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電圧 - 出力 (最大) |
300V |
300V |
300V |
300V |
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電流 - 出力/チャンネル |
100mA |
100mA |
100mA |
100mA |
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順方向電圧 (Vf) (標準値) |
1.2V |
1.2V |
1.2V |
1.2V |
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電流 - DC 順方向 (If) (最大) |
60mA |
60mA |
60mA |
60mA |
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動作温度 |
-55 度 ~ 100 度 |
-55 度 ~ 100 度 |
-55 度 ~ 100 度 |
-55 度 ~ 100 度 |
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パッケージ・ケース |
SMD6（7.62mm） |
SMD6(7.62mm) |
SMD6(7.62ミリメートル) |
SMD6（7.62mm） |
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パッケージ |
テープ＆リール（TR） |
テープ＆リール（TR） |
テープ＆リール（TR） |
テープ＆リール（TR） |
応用s:
• CMOS 駆動のソリッドステートの信頼性
• 電話着信音検出器
• デジタルロジック絶縁
概要:
H11AG1M デバイスは、デュアル インライン パッケージ内のシリコン フォトトランジスタと結合されたガリウム - アルミニウム - ヒ素 IRED 発光ダイオードで構成されています。このデバイスは、低出力電圧と低入力電流の両方で高い電流伝達率という独自の機能を提供します。このため、低電力論理回路、通信機器、ポータブル電子機器の絶縁アプリケーションでの使用に最適です。
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