TLP5231(TP,E
説明
技術的なパラメーター
TLP5231 は、パワー エレクトロニクスにおけるフォトカプラ用の高性能ゲート ドライバで、最大出力ピーク電流 ±2.5 A、動作温度範囲 -40 ～ 110 度、および 3.5 mA の低しきい値入力電流を備えています。 300nsの高速伝播遅延時間と±25kV/μsの最小コモンモード過渡耐性により、さまざまなアプリケーションで効率的で応答性の高いゲート制御を保証します。 このデバイスは、5000 Vrms の高い絶縁電圧を提供して電気的分離を保証し、外部相補型 MOS バッファ用のデュアル出力ドライブを備えているため、MOSFET 構成に柔軟性をもたらします。 さらに、TLP5231 には、正と負の両方のゲート電源に対して低電圧ロックアウト保護が組み込まれており、モーター ドライブ、インバーター、電力コンバータなどのパワー エレクトロニクス アプリケーションの信頼性と安全性が向上します。
関連製品：
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製造元部品 |
TLP5231(TP,E |
TLP5231(D4,E |
TLP5231(E |
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説明 |
OPTOISO IGBT MOSFET ドライバー |
OPTOISO IGBT MOSFET ドライバー |
OPTOISO IGBT MOSFET ドライバー |
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ストック |
50000 |
50000 |
50000 |
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製品の状態 |
アクティブ |
アクティブ |
アクティブ |
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テクノロジー |
光結合 |
光結合 |
光結合 |
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チャンネル数 |
2 |
2 |
2 |
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電圧 - 絶縁 |
5000Vrmsの |
5000Vrmsの |
5000Vrmsの |
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コモンモード過渡耐性 (最小) |
25kV/us |
25kV/us |
25kV/us |
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伝播遅延 tpLH / tpHL (最大) |
300ns、300ns |
300ns、300ns |
300ns、300ns |
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パルス幅歪み(最大) |
150ナノ秒 |
150ナノ秒 |
150ナノ秒 |
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電流 - 出力ハイ、ロー |
1A, 1A |
1A, 1A |
1A, 1A |
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電流 - ピーク出力 |
1A |
1A |
1A |
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順方向電圧 (Vf) (標準値) |
1.7V |
1.7V |
1.7V |
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電流 - DC 順方向 (If) (最大) |
25mA |
25mA |
25mA |
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電圧 - 出力電源 |
21V ~ 30V |
21V ~ 30V |
21V ~ 30V |
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動作温度 |
-40-C ~ 110-C |
-40-C ~ 110-C |
-40-C ~ 110-C |
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パッケージ・ケース |
WSOP16(7.5×1.27) |
WSOP16(7.5x1.27) |
WSOP16(7.5×1.27) |
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パッケージ |
テープ＆リール（TR） |
テープ＆リール（TR） |
テープ＆リール（TR） |
アプリケーション:
• IGBT ゲートドライバー
• MOSFETゲートドライバ
• 産業用インバータ
・ACサーボ
• 太陽光発電 (PV) 電力調整システム
• エアコン用インバーター
一般的な：
TLP5231 は、長い沿面距離とクリアランスを持つ SO16L パッケージに収容された、高集積多機能 IC を含む 2.5 A デュアル出力 IGBT ゲート プリドライブ フォトカプラです。 このフォトカプラは、外部の p チャネルおよび n チャネル MOSFET をバッファとして介してパワーデバイスを駆動するためのプリドライバとして適しています。
スマート ゲート ドライバのフォトカプラには、IGBT/パワー MOSFET の非飽和検出、絶縁故障ステータス フィードバック、設定可能なソフト ゲート ターンオフ、および低電圧ロックアウト (UVLO) の機能が含まれています。
TLP5231は、2つの赤外発光ダイオード(LED)と2つの高利得高速受光ICチップで構成されています。 これにより、一次側と二次側間の電気的な絶縁を保ちながら、出力電流の制御と故障信号のフィードバック機能を実現します。
人気ラベル: tlp5231(tp、e、中国 tlp5231(tp、e メーカー、サプライヤー
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