
FOD8332R2
説明
技術的なパラメーター
FOD8332R2 フォトカプラ ゲート ドライバは、パワー エレクトロニクス アプリケーション向けの堅牢で汎用性の高いソリューションです。 このデバイスは、正確な信号受信のための入力 LED ドライブ、信頼性を高めるための光学的に絶縁された障害検出フィードバック、高 dv/dt 条件で IGBT を確実にシャットダウンするためのアクティブ ミラー クランプなどの高度な機能を備えており、厳しい動作環境で優れた性能を発揮します。 高いノイズ耐性、2.5 A のピーク出力電流駆動能力、統合された IGBT 保護機能により、中出力 IGBT および P チャネル MOSFET の駆動に最適です。 FOD8332R2 は、-40 度から 100 度までの広い温度範囲で動作し、高速スイッチング速度を維持するため、要求の厳しい産業用アプリケーションにとって優れた選択肢となります。

関連製品:
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製造元部品 |
FOD8332 |
FOD8332R2 |
FOD8332R2V |
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説明 |
OPTOISO IGBT MOSFET ドライバー |
OPTOISO IGBT MOSFET ドライバー |
OPTOISO IGBT MOSFET ドライバー |
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ストック |
50000 |
50000 |
50000 |
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製品の状態 |
アクティブ |
アクティブ |
アクティブ |
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テクノロジー |
光結合 |
光結合 |
光結合 |
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チャンネル数 |
1 |
1 |
1 |
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電圧 - 絶縁 |
4243Vrmsの |
4243Vrmsの |
4243Vrmsの |
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コモンモード過渡耐性 (最小) |
35kV/us |
35kV/us |
35kV/us |
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伝播遅延 tpLH / tpHL (最大) |
250ns、250ns |
250ns、250ns |
250ns、250ns |
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パルス幅歪み(最大) |
100ナノ秒 |
100ナノ秒 |
100ナノ秒 |
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電流 - 出力ハイ、ロー |
2.5A, 2.5A |
2.5A, 2.5A |
2.5A, 2.5A |
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電流 - ピーク出力 |
2.5A |
2.5A |
2.5A |
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順方向電圧 (Vf) (標準値) |
1.4V |
1.4V |
1.4V |
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電流 - DC 順方向 (If) (最大) |
25ミリアンペア |
25ミリアンペア |
25ミリアンペア |
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電圧 - 出力電源 |
15V ~ 30V |
15V ~ 30V |
15V ~ 30V |
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動作温度 |
-40-C ~ 100-C |
-40-C ~ 100-C |
-40-C ~ 100-C |
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パッケージ・ケース |
WSOP16(7.5×1.27) |
WSOP16(7.5×1.27) |
WSOP16(7.5×1.27) |
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パッケージ |
テープ&リール(TR) |
テープ&リール(TR) |
テープ&リール(TR) |
アプリケーション:
•ACおよびブラシレスDCモータードライブ
• 産業用インバーター
• 無停電電源装置
• 誘導加熱
• 絶縁型IGBT/パワーMOSFETゲート駆動
説明:
FOD8332 は、出力電流 2.5 A の先進的な IGBT 駆動フォトカプラで、最大定格 1,200 V および 150 A の中出力 IGBT を駆動できます。モータ制御インバータ アプリケーションや高出力のパワー IGBT および MOSFET の高速スイッチング駆動に適しています。 -パフォーマンスパワーシステム。 FOD8332 は、IGBT の破壊的な熱暴走につながる障害状態を防ぐために必要な保護機能を提供します。 このデバイスは、フェアチャイルド独自の Optoplanar® コプレーナ パッケージング技術と最適化された IC 設計を利用して、高いコモンモード除去と電源除去仕様を特徴とする、信頼性の高い高絶縁性と高ノイズ耐性を実現します。 このデバイスは、ワイドボディ、16-ピン、小さな輪郭のプラスチック パッケージに収容されています。 ゲート ドライバ チャネルは、低 RDS(ON) MOSFET 出力段を備えた統合高速ドライバ回路に光学的に結合されたアルミニウム ガリウム ヒ素 (AlGaAs) 発光ダイオード (LED) で構成されています。 障害検出チャネルは、障害検出用の統合高速フィードバック回路に光学的に結合された AlGaAs LED で構成されます。
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