SI823H1BD-IS3R

SI823H1BD-IS3R 絶縁ゲート ドライバは、最大 5 kVRMS の絶縁、1500 VDC ピーク ドライバ間差動電圧、および単一または 2 つの絶縁ゲート ドライバを含む多彩な構成を備えた最先端のソリューションを提供します。ドライバーが 1 つのパッケージに含まれています。 注目すべき機能には、強化された安全オプション、4.0 A シンク/ソース ピークの高出力機能、および堅牢な電磁耐性が含まれます。 このドライバは、30 ns という迅速な最大伝播遅延、125 kV/μs を超える過渡耐性、プログラム可能なデッド タイムを備えており、正確な制御と電圧スパイクに対する保護を保証します。 -40 度から +125 度までの広い温度範囲で動作し、RoHS 規格に準拠し、AEC-Q100 認定パッケージで提供され、包括的な文書をサポートしているため、自動車や産業環境を含むさまざまな用途に理想的な選択肢となります。 。

• 電力供給システム

• モーター制御システム

• 絶縁型 DC-DC 電源

• 照明制御システム

• 太陽光発電および産業用インバーター

• 車載充電器

• バッテリー管理システム

• 充電ステーション

• トラクションインバータ

• ハイブリッド電気自動車

• バッテリー電気自動車

Si823Hx は、高電力アプリケーション向けに 2 つの絶縁ゲート ドライバを 1 つのパッケージに組み合わせています。 Si823Hx には、独立した出力またはハイサイド/ローサイド出力を備えたシングルまたはデュアル制御入力を備えたデバイスが含まれています。 これらのドライバは、3.0 – 5.5 V の入力 VDD および最大 30 V の駆動電源電圧で動作できます。

Si823Hx は、さまざまなスイッチング電源およびモーター制御アプリケーションで使用されるパワー MOSFET および IGBT の駆動に最適です。 これらのドライバは Skyworks 独自のシリコン絶縁技術を利用しており、1 分間の絶縁電圧で最大 5 kVRMS をサポートします。 この技術により、高い CMTI (125 kV/µs)、低い伝播遅延とスキュー、温度や経年変化による変動が少ない、部品間の低いマッチングが可能になります。

出力段のユニークなアーキテクチャは、負荷電源スイッチのミラープラトー領域でより高いプルアップ能力を提供し、より高速なターンオン時間をサポートするブースターデバイスを備えています。 このドライバ ファミリは、過熱保護、出力不足電圧ロックアウト (UVLO) 障害検出、デッド タイムのプログラマビリティ、入力側の電力損失の場合にデフォルトで Low になるフェールセーフ ドライバなどの独自の機能も提供します。 Si823Hx ファミリは、光結合ゲート ドライバと比較して、より長い耐用年数と大幅に高い信頼性を提供します。

車載グレードも用意しております。 これらの製品は、自動車用途に必要な堅牢性と低欠陥性を確保するために、製造プロセスのすべての段階で自動車固有のフローを使用して構築されています。

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