SI8230BC-D-IS1R

SI8230BC-D-IS1R

SI8230BC-D-IS1R は、イノベーションを念頭に置いて設計されています。 これは、完全に分離された 2 つのドライバーを 1 つのパッケージ内に組み合わせたものです。 この統合により、貴重な基板スペースが節約されるだけでなく、設計プロセスも簡素化されます。
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説明

技術的なパラメーター

SI8230BC-D-IS1R は、優れた絶縁機能を備えた多用途で革新的な絶縁型ゲート ドライバ ソリューションで、最大 5 kVRMS の入出力絶縁と 1500 VDC ピーク ドライバ間絶縁を提供します。 -ドライバーの差動電圧。 HS/LS やデュアル ドライバーなどのさまざまな構成で利用でき、最大 8 MHz の高いスイッチング周波数をサポートします。 ピーク出力電流は 0.5 A ~ 4.0 A で、パワー スイッチや半導体デバイスを効果的に駆動できます。 このデバイスは電磁耐性にも優れており、RoHS 準拠のパッケージ オプションも豊富に用意されているため、さまざまなアプリケーションに適応できます。 自動車用途では、AEC-Q100 認定を満たし、AIAG PPAP 文書標準に準拠すると同時に、IMDS および CAMDS リストを通じて環境責任をサポートします。 全体として、SI8230BC-D-IS1R は、高電圧パワー エレクトロニクス アプリケーション向けの、堅牢でスペース効率が高く、環境に準拠したソリューションです。

product-1267-1001

関連製品:

 

製造元部品

SI8230BC-D-AS1

SI8230BC-D-AS1R

SI8230BC-D-IS1

SI8230BC-D-IS1R

説明

DGTL ISO ゲート DVR

DGTL ISO ゲート DVR

DGTL ISO ゲート DVR

DGTL ISO ゲート DVR

ストック

30000

30000

30000

30000

製品の状態

アクティブ

アクティブ

アクティブ

アクティブ

テクノロジー

容量結合

容量結合

容量結合

容量結合

チャンネル数

2

2

2

2

電圧絶縁

3750Vrms

3750Vrms(実効値)

3750Vrms(実効値)

3750Vrms(実効値)

コモンモード過渡耐性 (最小)

20kV/μs

20kV/μs

20kV/μs

20kV/μs

伝播遅延 tpLH / tpHL (最大)

45ns、45ns

45ns、45ns

45ns、45ns

45ns、45ns

電流 - 出力ハイ、ロー

250mA、500mA

250mA、500mA

250mA、500mA

250mA、500mA

電圧 - 電源

8.0V ~ 24V

8.0V ~ 24V

8.0V ~ 24V

8.0V ~ 24V

動作温度

-40-C ~ 125-C

-40-C ~ 125-C

-40-C ~ 125-C

-40-C ~ 125-C

パッケージ・ケース

SOP16の

SOP16の

SOP16の

SOP16の

パッケージ

テープ&リール(TR)

テープ&リール(TR)

テープ&リール(TR)

テープ&リール(TR)

 

産業用途:

 

• 電力供給システム

• モーター制御システム

• 絶縁型 DC-DC 電源

• 照明制御システム

• プラズマディスプレイ

• 太陽光発電および産業用インバーター

 

自動車用途:

 

• 車載充電器

• バッテリー管理システム

• 充電ステーション

• トラクションインバーター

• ハイブリッド電気自動車

• バッテリー電気自動車

 

概要:

 

Si823x 分離ドライバー ファミリは、2 つの独立した分離ドライバーを 1 つのパッケージに組み合わせています。 Si8230/1/3/4 はハイサイド/ローサイド ドライバーですが、Si8232/5/7/8 はデュアル ドライバーです。 ピーク出力電流 0.5 A (Si8230/1/2/7) および 4.0 A (Si8233/4/5/8) のバージョンが利用可能です。 すべてのドライバーは最大 24 V の供給電圧で動作します。

 

The Si823x drivers utilize Skyworks' proprietary silicon isolation technology, which provides up to 5 kVRMS withstand voltage per UL1577 and fast 45 ns propagation times. Driver outputs can be grounded to the same or separate grounds or connected to a positive or negative voltage. The TTL level compatible inputs with >400 mV ヒステリシスは、個別の制御入力 (Si8230/2/3/5/7/8) または PWM 入力 (Si8231/4) 構成で利用できます。 Si823x ファミリは、高い集積度、低い伝播遅延、小型の設置サイズ、柔軟性、費用対効果により、幅広い絶縁型 MOSFET/IGBT ゲート ドライブ アプリケーションに最適です。

人気ラベル: si8230bc-d-is1r、中国 si8230bc-d-is1r メーカー、サプライヤー

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