SI8230AB-B-IS1R

SI8230AB-B-IS1R は、最大 5 kVRMS の入出力間絶縁と最大 150 のピークドライバ間差動電圧により、高電力システムの安全性と信頼性を保証します。 DC0V。 HS/LS およびデュアルドライバ バージョンがあり、最大 8 MHz のスイッチング周波数と 0.5 A または 0.4 A (モデルに応じて) のピーク出力電流を提供します。 高い電磁耐性、速い伝播遅延、オーバーラップ保護やプログラム可能なデッドタイムなどの機能により、要求の厳しいアプリケーションに優れています。 AEC-Q100 認証により、自動車グレードの信頼性が保証され、広い温度範囲 (-40 ～ +125 度) で動作します。 さらに、RoHS 準拠のパッケージで提供されるため、パワー エレクトロニクスおよびモーター制御アプリケーション向けの多用途かつ堅牢なソリューションになります。

·電力供給システムn

・モータ制御システムn

・絶縁型DC-DC電源n

・照明制御システムn

·プラズマディスプレイn

·太陽光発電および産業用インバータ

Si823x 分離ドライバー ファミリは、2 つの独立した分離ドライバーを 1 つのパッケージに組み合わせています。 Si8230/1/3/4 はハイサイド/ローサイド ドライバーであり、Si8232/5/6/7/8 はデュアル ドライバーです。 ピーク出力電流 0.5 A (Si8230/1/2/7) および 4.0 A (Si8233/4/5/6/8) のバージョンが利用可能です。 すべてのドライバーは最大 24 V の供給電圧で動作します。

Si823x ドライバは、Silicon Labs 独自のシリコン絶縁技術を利用しており、UL1577 に準拠した最大 5 kVRMS の耐電圧と 60 ns の高速伝播時間を提供します。 ドライバ出力は、同じまたは別のグランドに接地することも、正または負の電圧に接続することもできます。

The TTL level compatible inputs with >400 mV ヒステリシスは、個別の制御入力 (Si8230/2/3/5/6/7/8) または PWM 入力 (Si8231/4) 構成で利用できます。 Si823x ファミリは、高い集積度、低い伝播遅延、小型の設置サイズ、柔軟性、費用対効果により、幅広い絶縁型 MOSFET/IGBT ゲート ドライブ アプリケーションに最適です。

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